英飞凌推出OptiMOS 7车规MOSFET，TOLL封装导通电阻创新低

行业背景：汽车电气化推动功率器件升级

随着汽车电气化程度不断提升，12V和48V系统对电源的功率密度和效率要求日益严苛。工程师面临的核心矛盾在于：提升功率通常需要更大尺寸的封装，但这会增加成本、电路板占用空间和设计复杂度。如何在现有封装尺寸内实现更高性能，成为功率半导体供应商的竞争焦点。

核心信息：OptiMOS 7技术与TOLL封装结合

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出全新OptiMOS™ 7车规级MOSFET，将成熟的TOLL封装（10 × 12 mm²）与基于夹片的互连概念相结合，实现了超低导通电阻。本次推出的40 V、80 V、100 V MOSFET，RDS(on)分别可达0.24 mΩ、0.57 mΩ和0.88 mΩ，与上一代OptiMOS™ TOLL参考产品相比，性能分别提升65%、48%、37%。

除了导通电阻的显著降低，OptiMOS™ 7技术还改善了电容和栅极电荷特性，在降低导通损耗的同时减少了开关损耗。更窄的栅极阈值电压范围有助于器件并联时实现更均衡的电流分担，降低单颗MOSFET受损的风险。

对产业链的影响：元器件环节的设计灵活性提升

该新品属于电子元器件中的功率半导体范畴，直接面向汽车电子应用。对于汽车客户而言，无需改用更大封装架构或重新设计电路板布局，即可在现有TOLL封装中实现大电流汽车功率级。根据系统优先级，客户可以利用超低RDS(on)提高效率、降低发热、提升电流承载能力或减少并联MOSFET的数量，从而在不更改现有生态系统的情况下获得设计灵活性。

新器件面向大功率12 V、48 V应用，包括电动助力转向系统（EPS）、电池隔离开关、电机驱动器、高低压直流转换器等。在这些应用中，导通损耗直接影响系统效率与热管理性能。英飞凌通过在不改变封装尺寸的前提下提升性能，帮助汽车工程师优化配电与电能转换系统，以应对下一代电动及电气化汽车的开发需求。

结语

英飞凌此次扩展OptiMOS™ 7车规级MOSFET产品组合，体现了功率半导体向更高功率密度、更低损耗方向演进的趋势。对于PCB与电子组装环节而言，器件性能的提升可能减少并联数量，进而影响电路板布局和热管理设计，值得产业链上下游持续关注。

来源：电子产品世界 EEPW