ROHM推出支持GaN高频开关的TP-PFC控制器IC

行业背景：AC-DC电源面临高效小型化挑战

随着消费电子和工业设备功能增强，所需电力增加，同时小型化和节能要求日益严格。能效法规如美国DoE Level7和欧盟CoC Tier2对转换效率和无负载功耗提出高标准。GaN HEMT相比传统Si功率半导体支持更高频开关，成为提高效率和小型化的关键。将GaN HEMT与图腾柱PFC（TP-PFC）电路结合可显著降低损耗，但传统TP-PFC控制多采用MCU，面临功耗、电路规模和成本挑战，且难以实现针对GaN的高频控制。

核心信息：专用控制器IC BM85060FV

ROHM针对上述课题开发出专用控制器IC“BM85060FV”，能以低功耗控制采用GaN HEMT的TP-PFC电路，并支持MHz频段高频开关。该产品在300~500W级AC-DC电源中可实现系统层面高达99%的转换效率，抑制功率损耗和发热，并通过提高开关频率使外围元器件小型化，节省空间。其空载电流仅150μA，较普通产品降低70%，易于降低待机功耗，满足节能要求。此外，内置防雷击浪涌电路等保护功能，减轻设计负担，提高系统可靠性。

对产业链的影响：推动电源设计升级

BM85060FV属于电源管理IC，位于半导体设计环节，其应用将带动GaN HEMT等功率半导体需求，并促进AC-DC电源模块及终端设备的小型高效化。对于PCB和电子组装环节，高频开关和外围元器件小型化可能对布局和散热提出新要求，但直接关联度较低。该产品有助于电源系统满足严格能效法规，加速GaN在消费电子和工业设备中的渗透。

结语

BM85060FV已于2026年10月开始销售，样品价格670日元/个（不含税），并提供330W输出评估板。ROHM将继续提供功率半导体与模拟IC结合的解决方案，助力电子设备降低功耗和小型化。

来源：电子产品世界 EEPW