SiC

Semiconductor Engineering 文章指出，选择功率晶体管不再追求单一最优技术，而应匹配应用需求。硅 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 和 GaN HEMT 各有优势，但决定性因素是设计的电气与热现实，如母线电压、电流曲线、开关频率等。…