国产混合键合设备并购潮起 三巨头路径分化
行业背景：三维集成把键合设备推到前台
先进制程的密度竞赛正从“把晶体管做小”部分转向“把芯片叠近”。在逻辑侧，AI/HPC 推动 GPU/ASIC 与高带宽内存（HBM）需求扩张，传统微凸块封装在互连精度、翘曲控制和超微间距上逼近物理约束；混合键合通过铜—铜直接键合与介电层同步接合实现无凸块互连，间距可从微凸块约 10μm 的极限推进至亚微米乃至数百纳米量级。在存储侧，该技术已在 CIS 和 3D NAND 中量产，并加速向 HBM、DDR6+ 及 SoIC 等场景扩展。设备因此从后道封装设备升级为向中道延伸的平台型设备。
核心信息：三天三笔动作，两种追赶逻辑
2026 年 10 月，北方华创、拓荆科技、中微公司在三天内密集落地混合键合领域资本动作。
北方华创全资子公司北方华创微电子拟以 4.05 亿元现金收购北京诺合键维设备有限公司 100% 股权，交易对方为北京集成电路装备产业投资并购二期基金。诺合键维成立于 2025 年 4 月，通过资产收购取得混合键合设备相关实物资产、无形资产、经营业务及研发团队，在光学对准、补偿算法、机械运动控制、精密震动控制、键合头设计等环节形成技术储备，出厂设备已实现纳米级精度对准并获重复订单。2025 年度及 2026 年上半年其营业利润和净利润为负，核心产品仍处技术迭代与市场导入阶段。北方华创看重的是技术完成度与验证进度，借此补齐其三维集成装备矩阵中的键合短板。
拓荆科技拟以 25 亿元收购无锡尚积 82.97% 股份及相关持股平台，配套募资 18.2 亿元，交易完成后形成覆盖薄膜沉积、刻蚀、键合、量检测的成套三维集成设备产品线。无锡尚积的 PVD 和刻蚀设备可应用于 RDL、TSV、TGV 等核心工艺环节。拓荆 2025 年混合键合设备收入已达 1.36 亿元，同比增长 41.92%，晶圆对晶圆混合键合系统已获重复订单。
中微公司全资子公司中微临港拟以不超过 3500 万元向青禾晶元增资，连同前期投资合计持有其注册资本比例 7.07%。青禾晶元产品覆盖晶圆键合、芯片键合和表面处理，其 SAB82 系列 C2W 混合键合设备无需凸点即可实现铜对铜直接键合，支持小于 10 微米的高密度互联间距。中微以少数股权绑定生态，在不承担并购整合风险的前提下保持对键合环节的近距离观察。
产业链影响：寡头格局下的时间窗口争夺
混合键合设备市场集中度极高。荷兰 BESI 占据全球约 70% 份额，其 2026 年 Q3 财报披露混合键合客户群已扩大至 23 家，累计设备需求超过 215 套，前九个月订单较 2025 年全年翻了一倍以上；旗舰产品 Datacon 8800 CHAMEO ultra plus AC 可实现 100nm 对准精度与约 2000 颗/小时的吞吐量。应用材料已在 2025 年 4 月取得 BESI 9% 股权并计划增持至约 20%，双方自 2020 年起联合开发 Kinex 晶粒到晶圆混合键合系统。这意味着后来者面对的不是靠性价比快速切入的开放市场，而是由工艺标准、客户验证周期和股权纽带共同锁定的寡头结构，国产化率不足 5% 正是这一差距的反映。
从技术路线看，2026 年 IEEE 混合键合研讨会和 ICEP-HBS 披露的方向集中在间距向亚微米以下推进、低温键合与新材料体系、设备平台化与智能化。当前量产铜—铜连接间距约 9μm，路线图指向 2μm 及更小，远期目标已指向 sub-150nm；纳米孪晶铜可将键合温度降至 150-200°C。竞争因此不是单台设备的参数竞赛，而是对准精度、表面工程、平台集成与客户工艺协同的系统能力竞赛。
结语
三笔动作的共同判断是：混合键合能力无法只靠内部研发线性推进，在国产化窗口期有限、客户验证周期漫长的条件下，收购与股权投资是缩短“技术—验证—订单”链条的必要手段。但诺合键维尚处亏损、BESI 的客户验证壁垒与应用材料的生态绑定都提示，真正的分水岭不在于谁先买到标的，而在于谁能在客户量产线上把良率跑出来、把工艺 know-how 沉淀进平台。
来源：电子产品世界 EEPW
